머스크, 중국 제조 역량 언급: 기술 습득 시 생산 능력 전 세계 총합 초월 가능

IT之家 10월 13일 보도에 따르면, 일론 머스크는 오늘 X 플랫폼에서 중국이 어떤 제품의 제조 방법을 습득한 후, 그들의 생산 확장 능력이 종종 세계 다른 지역을 모두 합친 것보다 뛰어날 수 있다고 밝혔다. IT홈은 이 논의가 인공지능 분석가 멜빈(Melvin)의 긴 글에 기반하고 있음을 지적했다. 이 분석가는 장신 저장(장신저장, ChangXin Memory Technologies)이 마이크론, 삼성전자, SK하이닉스의 경쟁자로 부상하고 있다고 주장했다. 트렌드포스(TrendForce)의 데이터에 따르면, 장신 저장은 현재 글로벌 DRAM 시장에서 매출 점유율이 약 9.5%로, 전 분기의 7.6%보다 높아져 글로벌 4위 DRAM 제조업체가 되었다. 그러나 이 분석가는 장신의 4F² DRAM 기술 돌파에 대한 시장의 반응이 다소 과잉이라고 보았으며, 이 회사는 여전히 경쟁력 있는 수율, 가격, 신뢰성 및 생산량을 입증해야 할 필요가 있다고 지적했다. 또한 해당 기술은 주로 전통적인 DDR5 서버 메모리를 대상으로 하며, HBM(고대역폭 메모리)을 위한 것은 아니다. 머스크는 이에 대해 중국이 어떤 제품의 제조 방법을 습득한 후, 그들의 생산 확장 능력이 종종 세계 다른 지역을 모두 합친 것보다 뛰어날 수 있다고 답했다. 리튬이온 배터리와 태양광 산업이 그 생생한 예라고 덧붙였다. 그는 스페이스X가 매우 드문 반례라고 보았으며, 스페이스X의 궤도 투입 중량은 약 세계 다른 지역을 합친 것의 10배에 달한다고 말했다. 그러나 현재 중국의 궤도 투입 중량은 스페이스X를 제외한 전 세계 다른 국가 및 지역을 모두 합친 것을 이미 초과했다. 메모리 산업은 다를 수 있는데, 약 3년 전만 해도 메모리는 이윤율이 낮은 표준화된 상품에 불과했다. 지금 메모리는 가장 빠르게 가치가 상승하는 제품 중 하나가 되었으며, 중국은 관련 기술을 빠르게 정복하고 있는 것으로 보인다. 새로운 세대의 HBM 아키텍처와 로직 회로 아래에 SRAM 레이어를 배치하고 로직 회로 위에 3D 메모리를 적층하는 기술은 더 어렵게 정복될 것이다. 특히 이러한 설계를 채택하는 동시에 로직 회로의 효과적인 냉각 방법을 찾아야 한다.